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InGaAs



InGaAs

Indio-Galio-Arsenico : Se trata de un material semiconductor utilizado en fotosensores debido a dos propiedades importantes: su velocidad de operación y la longitud de onda que emiten y detectan los dispositivos fabricados con este material (950nm).

 
Este articulo se basa en el articulo InGaAs publicado en la enciclopedia libre de Wikipedia. El contenido está disponible bajo los términos de la Licencia de GNU Free Documentation License. Véase también en Wikipedia para obtener una lista de autores.
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