La start-up NextGO Epi, con sede en Berlín, obtiene 2 millones de euros para la fabricación de obleas de óxido de galio
Este material semiconductor podría reducir el tiempo de recarga de los coches eléctricos de 60 a 10 minutos y es diez veces más eficiente energéticamente que el carburo de silicio.
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NextGO Epi, una startup de «deep tech» con sede en Berlín surgida del Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), dedicada a la producción de obleas epitaxiales de óxido de galio para la electrónica de potencia de próxima generación, ha conseguido una ronda de financiación «pre-seed» de 2 millones de euros. La empresa ha desarrollado un proceso para producir un material semiconductor revolucionario que podría reducir los tiempos de recarga de los vehículos eléctricos de 60 a tan solo 10 minutos, al tiempo que reduce los costes de fabricación de semiconductores de potencia hasta en un 75 %.
NextGO Epi es la única empresa europea que produce obleas epitaxiales de óxido de galio con calidad industrial de hasta 4 pulgadas, un material semiconductor que constituye la capa eléctricamente activa de la próxima generación de dispositivos semiconductores de potencia. Los dispositivos eléctricos basados en óxido de galio pueden soportar tensiones más altas y son más eficientes que el carburo de silicio o el nitruro de galio que se utilizan actualmente. La tecnología de la empresa es fundamental en todo el sistema de transmisión de electricidad: desde estaciones de recarga de vehículos eléctricos e inversores de energía renovable hasta centros de datos de inteligencia artificial y sistemas de seguimiento de misiles.
La ronda de financiación «pre-seed» ha sido liderada por Vireo Ventures, con la participación de Ultratech Capital Partners, IBB Ventures y el inversor ángel Boris Habets. Apenas una semana después de que la Comisión Europea presentara la «Chips Act 2.0», su iniciativa más ambiciosa hasta la fecha en favor de la soberanía en materia de semiconductores, esta ronda supone el primer respaldo institucional para el único productor europeo de epiláminas de óxido de galio. El nuevo capital acelerará el desarrollo de productos, ampliará el equipo y reforzará la presencia comercial de la empresa en Europa y en los mercados mundiales.
«Ta-Shun y su equipo de NextGO Epi tienen por delante un futuro fantástico. Combinan una profunda experiencia técnica con capacidades de fabricación avanzadas para producir semiconductores de óxido de galio que ayudarán a revolucionar la electrónica de próxima generación. Estamos encantados de respaldarlos al inicio de su andadura para convertirse en el proveedor de referencia de esta tecnología cada vez más importante», afirmó Damian Perl, fundador y socio general de Ultratech Capital Partners.
El equipo fundador aporta más de 10 años de experiencia combinada en investigación y epitaxia de óxido de galio, respaldada por dos patentes internacionales y más de 30 publicaciones científicas. La empresa cuenta además con el apoyo del Dr. Jochen Linck, antiguo director de operaciones de Aixtron, que se ha incorporado como socio operativo para ayudar a guiar el crecimiento y la expansión comercial de NextGO Epi.
«El óxido de galio es para la electrónica de potencia lo que el silicio fue para la informática, y Europa debería ser dueña de esa cadena de valor», afirmó el Dr. Ta-Shun Chou, director ejecutivo y cofundador de NextGO Epi. «Estamos creando la base material que hará posible la próxima revolución energética, y la estamos creando en Europa». Stephan Schulze, director de inversiones de IBB Ventures, añadió: «NextGO Epi está comercializando una tecnología única en el continente. Desarrollada en Berlín y arraigada en el sólido ecosistema de investigación de la ciudad y en décadas de experiencia en semiconductores, la empresa está bien posicionada para convertirse en un proveedor europeo clave de obletas epitaxiales de óxido de galio».
El chip que Europa no puede permitirse importar
La nueva «Ley de Chips 2.0» de Bruselas, presentada en junio, tiene como objetivo explícito reducir la excesiva dependencia de Europa respecto a los proveedores asiáticos y estadounidenses de los materiales semiconductores que alimentan los vehículos eléctricos, los servidores de IA y la red de energía limpia. NextGO Epi es precisamente el tipo de empresa que esta política pretende crear, construyendo la cadena de suministro fundamental que Europa necesita para liderar la próxima ola de transición energética y de movilidad.
El óxido de galio es un material semiconductor que ofrece una mejora significativa en la eficiencia con respecto al carburo de silicio utilizado actualmente: es 10 veces más eficiente energéticamente, soporta una densidad de tensión hasta 6 veces mayor y su producción puede ser hasta un 75 % más económica. El equipo de tres fundadores de NextGO-Epi, todos ellos doctores (el Dr. Ta-Shun Chou, el Dr. Andreas Popp y el Dr. Andreas Fiedler), lleva más de una década desarrollando óxido de galio de calidad industrial y sin defectos, con el firme apoyo del IKZ. «El programa científico y tecnológico del IKZ tiene como objetivo desarrollar y facilitar el suministro de cristales de la máxima calidad para la electrónica y la fotónica. En el caso de nuestra empresa emergente NextGO Epi, me complace afirmar que la máxima calidad no solo se refiere al producto de óxido de galio, sino también al equipo de fundadores», afirma el director del IKZ, el Prof. Dr. Thomas Schroeder.
Del laboratorio a la producción: ya se suministran productos a los clientes
La empresa ya está en fase de producción, generando ingresos y prestando servicio a clientes en tres continentes. El producto consiste en el crecimiento epitaxial de óxido de galio —a menudo denominado «capa epitaxial»— sobre un sustrato de oblea para formar la parte eléctricamente activa de un dispositivo semiconductor de alta potencia. NextGO Epi es la única empresa europea que produce esta capa de óxido de galio con el nivel de calidad que exigen los clientes industriales.
La aplicación más inmediata es la recarga de vehículos eléctricos. Una estación de recarga de vehículos eléctricos que incorpore dispositivos fabricados con el producto de NextGO Epi podría recargar un vehículo por completo en 10 minutos —frente a los 60 actuales— y de forma fiable en invierno, cuando las baterías de litio suelen ofrecer un rendimiento inferior. Más allá de los vehículos eléctricos, este mismo material mejora la eficiencia de los inversores de energías renovables, las fuentes de alimentación de los centros de datos de IA, los transformadores de red y los sistemas de defensa.
«Los semiconductores de banda prohibida ultraancha se están imponiendo como una tecnología habilitadora fundamental para la electrónica de potencia de alta tensión de próxima generación, y el óxido de galio lidera ese campo. Ningún otro material puede igualar su rango de rendimiento», señaló Mischa Wetzel, cofundador y socio director de Vireo Ventures. «Lo que distingue a NextGO Epi es que no se trata de un proyecto de investigación: ya están en fase de producción, ya suministran a los clientes y prácticamente nadie más en el mundo puede hacer lo que ellos hacen. Su posición, forjada tras años de investigación de primer nivel en el IKZ, los convierte en un candidato excepcionalmente sólido para convertirse en un proveedor clave de este sector».
Nota: Este artículo ha sido traducido utilizando un sistema informático sin intervención humana. LUMITOS ofrece estas traducciones automáticas para presentar una gama más amplia de noticias de actualidad. Como este artículo ha sido traducido con traducción automática, es posible que contenga errores de vocabulario, sintaxis o gramática. El artículo original en Inglés se puede encontrar aquí.
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